Mètode d'alliberament post-CMOS d'estructura sensible al feix creuat per a hidròfon vectorial MEMS

Mètode d'alliberament CMOS després d'una estructura sensible al feix transversal per a hidròfon de vectors mems

camp tècnic

1. La present invenció es refereix al camp dels semiconductors, en particular a la protecció de parets laterals de nitrur de silici i estructures sensibles a l'alliberament de corrosió anisòtropa de silici, en particular a un mètode d'alliberament CMOS després d'una estructura sensible al feix transversal orientada a un hidròfon vector mems.

Tècnica de fons:

2. L'hidròfon vector mems pot detectar informació vectorial, com ara la velocitat de vibració de les partícules submarines, i es pot aplicar a plataformes de detecció submarines com ara sistemes de sonar, submergibles no tripulats submarins i boies de sonar llançades per l'aire, i el seu rendiment ha rebut una gran atenció. . L'hidròfon vector mems integrat per cmos pot millorar molt el rendiment de l'hidròfon vectorial i té una bona perspectiva de desenvolupament.

3. La integració post-CMOS en l'esquema d'integració CMOS és un tema de recerca candent actualment. En aquest esquema, com utilitzar el procés mems per completar el llançament de l'estructura sota la premissa de ser compatible amb CMOS és un gran repte. En el procés tradicional de mems, la fotolitografia s'utilitza per transferir el patró de la màscara a la hòstia de silici, i la precisió de la fotolitografia en el procés de mems sovint no és tan bona com el procés de cmos, i els passos de fotolitografia redueixen l'eficiència de producció i augmenten el cost de producció. . També és un problema que cal estudiar per realitzar la producció massiva de xips.

4. Per resoldre aquest problema, basant-se en l'estructura sensible de l'hidròfon vector mems, la present invenció dissenya un mètode d'alliberament de mems post-cmos que no requereix litografia i és compatible amb cmos.

Contacta amb nosaltres:

Email: zhang@pride-cnc.com

Tel: més 86-755-23699351

Mob: més 8618666663894