Un mètode i un procés d'enllaç directe d'hòsties de safir per a una estructura sensible a la pressió de safir

1. La present invenció pertany al camp tècnic de la tecnologia mems, en particular a un mètode per a la unió directa de plaques de safir d'una estructura sensible a la pressió de safir.

Tècnica de fons:

2. La temperatura de funcionament dels sensors de pressió de semiconductors tradicionals és generalment per sota dels 600 graus. La temperatura màxima de funcionament del sensor de pressió piezoresistiu sic és de 600 graus, la temperatura màxima de funcionament del sensor de pressió de soi és inferior a 500 graus i la temperatura màxima de funcionament del sensor de pressió de silici-safir. Temperatura 350 graus. Els sensors de pressió elèctrics són difícils d'aplicar en entorns de temperatura més alta.

3. Actualment, a l'estranger han aparegut productes de sensor de pressió de fibra òptica basats en xips de safir, com ara el sensor de pressió de fibra òptica wave-phire dpt950 de l'empresa britànica oxsensis, la temperatura màxima de treball pot arribar als 600 graus i la part frontal de la sonda pot arribar 1000 graus. Tanmateix, els resultats de la investigació dels sensors de pressió de fibra òptica basats en xips de safir no s'han informat a la Xina. El document de patent xinès cn103234673 revela una estructura micro-nano del sensor de pressió resistent a altes temperatures, que inclou: un diafragma de carbur de silici, una pel·lícula reflectant, una pel·lícula semi-reflectiva, una capa d'enllaç, un substrat de carbur de silici, una capa d'encapsulació i un safir. fibra òptica; la pel·lícula reflectant està recoberta al mig del diafragma de carbur de silici, la pel·lícula semi-reflectant està recoberta a l'extrem de la fibra de safir, la capa d'unió (diòxid de silici) es troba entre el diafragma de carbur de silici i el substrat de carbur de silici, i la fibra de safir està connectada al substrat de carbur de silici mitjançant la capa d'encapsulació (cola ceràmica d'alta temperatura). El procés de preparació del sensor de pressió anterior consisteix a formar una cavitat d'interferència de Fabry-Parot mitjançant l'ús d'una pel·lícula reflectant xapada sobre un diafragma de carbur de silici i una pel·lícula semi-reflectiva a l'extrem d'una fibra òptica de safir per realitzar la detecció de pressió en un ambient de temperatura.

4. En l'actualitat, el procés d'unió directa d'hòsties de safir (nivell d'hòsties) encara es troba en l'etapa d'investigació teòrica, i encara no hi ha tecnologia de procés d'enllaç directe d'hòsties de safir madures (nivell d'hòsties). A la Xina, l'enllaç a nivell d'hòsties s'adreça normalment a materials basats en silici i la temperatura d'enllaç és inferior a 500 graus, com ara l'enllaç silici-silici, l'enllaç anòdic silici-vidre, etc. El document de patent xinesa cn 105236350 a revela una unió directa mètode per a xips sensibles a la pressió de safir, només la temperatura és de 1350 graus, sense control de pressió (pressió) durant el procés d'enllaç i sense control d'acoblament de temperatura i pressió.

Contacta amb nosaltres:

Email: zhang@pride-cnc.com

Tel: més 86-755-23699351

Mob: més 8618666663894